안녕하십니까, 반도체 공정을 공부하고있는 취업준비생입니다.

장비 실습 경험 중 Dielectric Etcher (CCP)장비에서 총 3개의 서로 다른 주파수(60MHz, 27MHz, 2MHz)의 Power Generator를 사용하는 것을 보았습니다.

 

제가 공부한 바로는

고주파(60MHz, 27MHz, 13.56MHz) : Plasma Density(Source Power)

저주파(2MHz) : Ion Energy(Bias Power)

으로 사용하는 것같은데

 

1) 사용하는 가스에 따라 (60MHz, 2MHz) 혹은 (27MHz, 2MHz)의 조합으로 2개를 선택하여 사용하는 것인가요? 아니면 하나의 공정에서 3개의 주파수를 다 사용하는 것일까요?

 

2) 이를 Dual Frequency CCP 라고 하나요?

 

3) 60MHz 제너레이터로는 27MHz 파워를 만들지 못해서 3개의 제너레이터를 사용하나요?(제너레이터에 적혀있는 주파수만 낼 수 있는 것인지)

 

 

모든 공정에서 이렇게 사용한다고 할 수는 없겠지만 일반적으로 어떻게 사용되는지 궁금합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [312] 79199
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21245
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58052
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69608
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94394
823 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. new 0
822 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 45
821 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 202
820 ICP dry etch 시 공정 문의 사항. [1] 231
819 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 250
818 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 259
817 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 157
816 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 196
» Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 204
814 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 254
813 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 190
812 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 125
811 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 124
810 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 199
809 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4262
808 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 210
807 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 273
806 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 144
805 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 167
804 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 81

Boards


XE Login