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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[321]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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828 |
III-V 반도체 에칭 공정 문의
[1] | 136 |
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827 |
CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력
[1] | 93 |
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826 |
DC Arc Plasma Torch 관련 문의
[1] | 77 |
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825 |
Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R]
[1] | 129 |
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824 |
동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문
[1] | 66 |
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823 |
ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다
[1] | 317 |
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822 |
liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다.
[1] | 212 |
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821 |
ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다.
[1] | 274 |
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820 |
RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral]
[1]  | 409 |
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819 |
챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP]
[1] | 494 |
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818 |
ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation]
[1] | 562 |
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817 |
HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant]
[1] | 321 |
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816 |
인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath]
[1] | 380 |
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815 |
Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath]
[2] | 395 |
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814 |
ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias]
[1] | 411 |
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813 |
가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해]
[1] | 298 |
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812 |
RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다.
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811 |
ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각]
[1] | 205 |
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810 |
Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length]
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809 |
플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 4472 |
