Plasma Source RF BIAS REDLECT POWER HUNTING 문제
2025.02.19 09:50
안녕하세요 DRY ETCH 설비 저년차 엔지니어입니다.
RF REFLECT POWER HUNING 원인이 궁금합니다
최초 현상
PROCESS 진행 간 변경점 없이 RF BIAS/TCP REFLECT HUNTING > RF 매칭 후 REFLECT는 다시 하향
(RF SHUNT. SERIES. VOL 당시 DATA 그려보면 흔들렸으나, 아래 파츠 교체 후 흔들리는 DATA는 양호해짐)
> 그 후 RF BIAS FOWARD POWER가 중심치가 너무 올라가 설비를 사용 못하는 상황입니다.
(POWER 사용 영역대 관계없이 REFLECT HUNTING 수준은 동일)
RF BIAS GENERATER, MACHER, RF CABLE 교체해봤으나 REFLECT가 HUNTING하는건 동일하고, FOWARD POWER도 계속 높게 유지됩니다.
RF LOAFLD, RF GASKET쪽도 특이점은 안보입니다
PROCESS CHAMBER 내부 WALL, ESC 등 확인은 못해봤으나 챔버 내부 문제일 수 도 있을까요?
(최초 발생시점 PROCESS 진행중이였던 SLOT 문제 등)
이미 여러 시도를 해 보셨으니, 남은 곳에서 원인이 있을 것 같습니다.
일단 RF bias 전력이 커지는 문제에 집중하면 전압이 커지거나, 전류가 커지거나, phase 값이 변했거나 하는 문제입니다.
전류가 커졌다면 연결부 및 플라즈마와 닿는 ESC 전극 표면 부식이 심화되었다고 생각해 볼 수 있을 것 같고, V 이 커지면 저항이 커지는 경우니 연결부의 접촉 저항이 변화를 예상할 수 있을 것 같습니다. Phase 변화가 있다면 이는 전극 앞에 형성된 플라즈마의 임피던스 변화 즉 생성 플라즈마의 특성이 바뀌었을 수 있겠고, 특히, 현재 dual frequency ICP 소스이므로, 아마도 frequency tuned filter를 사용하고 있을 텐데, RF-Bias RF 간의 신호 간섭이 일어날 수가 있을 것 같습니다.
해당 문제의 발생 시기, 즉 ESC damage를 가정한다면 해당 slot 진행시점에 발생한 것이 아닐까 예상됩니다.)
따라서 ESC 코팅 문제로 먼저 접근해 보면 어떨까 합니다. (ESC 임피던스 차이? gold chamber 기준, chamber impedance - Bias frequency 에 대해) 비교해 볼 수 있으면 좋을 것 같습니다.
아울러 RF 문제에 정통하신 분을 소개해 드립니다.
아이온 리서치 CEO
- 강남준 교수님, Ph.D (namjun.kang@gmail.com)