안녕하세요, 플라즈마를 이용한 박막 증착을 연구하고 있는 대학원생입니다.

PEALD 공정에 사용되는 O radical 생성량 트렌드를 파악하고자 OES 장비를 처음으로 사용하게 되었습니다.

여기서 알고 싶은 내용은

Q1. O radical 생성을 위해 Ar/O2 플라즈마를 생성시키는데 이 때, 총 유량은 일정하게 유지한 상태로 Ar과 O2의 비율만 변화시키면서 OES 측정을 하면 Ar과 O2의 비율에 따른 O radical의 생성량 트렌드를 파악할 수 있을지

Q2. OES에서 O* intensity(peak)가 높은게 절대적인 O radical의 양이 높다는 의미와 동일한 것인지
      (OES 분석의 원리 상 excited된 O*만 detect되는데 ground state의 O*가 많을 수도 있을 것 같아 질문드립니다.) 

질문드립니다.

감사합니다! 

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