2006 | 한국진공학회지 |
PSII 펄스 시스템의 동적 플라즈마 부하 회로 모델 개발
| 8453 |
2011 | 전기전자재료학회논문지 |
플라즈마 삽입전극의 전류에 미치는 밀도 구배의 영향
| 2772 |
2014 | 반도체디스플레이기술학회지 |
이중 주파수 전원의 용량성 결합 플라즈마 식각장비에서 전극하전에 의한 입사이온 에너지분포 변화연구
| 1458 |
2014 | 반도체디스플레이기술학회지 |
좁은 간격 CCP 전원의 전극과 측면 벽 사이 플라즈마 분포
| 1713 |
2016 | 반도체디스플레이기술학회지 |
헬륨 대기압 유전체 격벽 방전기의 타운젠트–글로우 방전 모드 전이 연구
| 3582 |
2019 | 반도체디스플레이기술학회지 |
플라즈마 정보인자를 활용한 SiO2 식각 깊이 가상 계측 모델의 특성 인자 역할 분석
| 1101 |
2019 | 반도체디스플레이기술학회지 |
할로겐 플라즈마에 의한 Ge2Sb2Te5 식각 데미지 연구
| 6771 |
2021 | 반도체디스플레이기술학회지 |
VHF-CCP 설비에서 Ar/SF6 플라즈마 분포가 Si 식각 균일도에 미치는 영향 분석
| 800 |
2006 | Transactions on Electrical and Electronic Materials |
SF6 and O2 Effects on PR Ashing in N2 Atmospheric Dielectric Barrier Discharge
| 6051 |
2010 | Thin Solid Films |
Effects of argon and oxygen flow rate on water vapor barrier properties of silicon oxide coatings deposited on polyethylene terephthalate by plasma enhanced chemical vapor deposition
| 8132 |
2013 | Thin Solid Films |
Field-emission performance and structural change mechanism of multiwalled carbon nanotubes by oxygen plasma treatment
| 4171 |
2013 | Thin Solid Film |
Experimental investigation of plasma recovery during the pulse-off time in plasma source ion implantation
| 3149 |
2002 | Surface and Coatings Technology |
The effect of plasma exposure and annealing atmosphere on shallow junction formation using plasma source ion implantation
| 5364 |
2004 | Surface and Coatings Technology |
Time-resolved plasma measurement in a high-power pulsed ICP source for large area
| 4509 |
1997 | Surface & Coating Technology |
Polymer Surface Modification by Plasma Source Ion Implantation
| 6958 |