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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[330]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias]
[1] | 1416 |
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652 |
Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence]
[1] | 2040 |
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651 |
플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리]
[1]  | 1307 |
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doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
[1] | 2761 |
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ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정]
[1] | 1227 |
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SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율]
[1] | 4526 |
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647 |
MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의]
[1] | 1605 |
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646 |
Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet]
[1] | 1197 |
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645 |
plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수]
[1] | 2019 |
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644 |
RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스]
[2] | 3971 |
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643 |
Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency]
[1] | 3998 |
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642 |
Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath]
[1] | 5425 |
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641 |
Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 3060 |
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640 |
식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering]
[1] | 1622 |
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639 |
임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [플라즈마 전류량]
[1] | 1606 |
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638 |
Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리]
[1] | 4360 |
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637 |
RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law]
[1] | 2222 |
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636 |
Plasma Cleaning 관련 문의 [Remote plasma source]
[1] | 1824 |
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635 |
Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리]
[1] | 1541 |
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634 |
standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계]
[1] | 2357 |
