Plasma in general 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거

2023.06.13 09:36

플라플라 조회 수:406

안녕하세요 

현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다. 

플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다. 

공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [274] 76811
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20240
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68736
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92569
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 425
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 314
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 350
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 573
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 258
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 353
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 250
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 610
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 543
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 337
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 469
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 360
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 696
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 588
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 388
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 186
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 151
» 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 406
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 234
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 670
쓰기
태그

Boards

XE Login