안녕하세요. 플라즈마 관련 실험을 하고 있는 학생입니다.

ICP 시스템에서 전자밀도 크기에 대해 질문드리고자 합니다.

 

Ar, N2, O2 가스환경에서 ICP 시스템을 통해 플라즈마를 발생시키고, electron density (plasma density)를 측정하였습니다.

동일한 실험조건을 기준으로 (RF power 조건 포함), 

electron density는 Ar > O2 > N2 순임을 실험적으로 확인하였습니다. 

여기서 저는 왜 electron density가 상기와 같은 순서로 발생되는 것인지 궁금하였습니다.

 

첫번째로, Ar 은 10^12 cm-3 정도이나, O2, N2는 10^11 cm-3 정도로 측정되었습니다.

제가 사용한 공정가스는 원자형태의 가스(Ar)와 분자형태의 가스(O2, N2) 입니다.

분자형태의 가스에서는 가속된 전자가 분자사이의 결합을 끊는 dissociation 반응이 발생하고, 이에 따라 energy loss가 발생하여 

실제 플라즈마 반응에 들어가는 에너지는 원자형태의 가스에서보다 작아져 electron density가 낮아지는 것으로 이해하면 될지요?

 

두번째로, O2 에서 electron density는 N2 보다 높게 측정되었습니다.

이는 bonding energy 가 N2(941 kJ/mol)가 O2(495 kJ/mol) 보다 높고, 이온화에너지 또한 N2가 O2 보다 높아

동일한 조건에서 플라즈마를 발생시키더라도 n2 에서 energy loss 가 많이 발생하여 electron density 가 낮아지게 되는 것인지요?

 

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79256
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21269
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58067
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69624
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94415
703 Lissajous figure에 대하여.. 20685
702 Three body collision process 20681
701 확산펌프 [DP 변수 검토] 20569
700 wafer 전하 소거: 경험 있습니다. 20526
699 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20484
698 CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [플라즈마 확산 및 전력정합 영역 제어] [1] file 20477
697 Langmuir probe tip 재료 20458
696 플라즈마 matching [Heating mechanism, matching] 20384
695 Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. 20366
694 상압 플라즈마 방전에 관한 문의 [Electric field와 breakdown] [1] 20360
693 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [Enthalpy probe] [1] 20324
692 형광등과 플라즈마 20298
691 DBD 플라즈마와 플라즈마 impedance [DBD plasma, Matching] 20284
690 플라즈마 진동수와 전자온도 20165
689 석영이 사용되는 이유 [플라즈마 내식성과 불순물 제어] [1] 20157
688 CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유 20069
687 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [Plasma 대면재료와 공정법] [1] 19897
686 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 19859
685 상압플라즈마에서 온도와의 관계를 알고 싶습니다. [상압 플라즈마, Remote Plasma] 19824
684 cross section 질문 [Cross section에서의 collision] [1] 19799

Boards


XE Login