안녕하세요.

반도체 회사 설비 엔지니어로 관련 200mm conductor etcher 에서 ceramic esc 를 사용하고 있습니다.

해당 esc 를 운용하면서 공정 진행중 b-he flow error 증가하면서 error 가 발생하고 빈도가 잦아지면 교체를 하게 되는데

해당 esc 분리하여 외부 검증 요청시 표면에 polymer가 증착되어 chucking 을 떨어뜨린다고 합니다.

 

국내 major 회사에서도 동일한 문제가 있어서 ISD란 공정을 진행하여 polymer 제거를 하여 he error 를 개선한 이력이 있다고 하여

ISD 공정이 무엇인지..해당 공정 parameter 가 어떤것이지...가능하다면 recipe 를 어떻게 구성해야 하는지에 대한

referance 를 문의 드립니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79256
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21269
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58067
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69624
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94415
» ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1553
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance] [2] 1206
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1115
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장] [1] 1950
598 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3191
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2109
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 3724
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 270
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2484
593 low pressure영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니다. [파센 커브와 글로우 방전] [1] 1467
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [회로인자 및 구동기구, 플라즈마 특성] [1] 2623
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3410
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [DC glow discharge] [1] 996
589 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2135
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [충돌 반응 rate constant] [4] 4461
587 플라즈마 챔버 [화학반응 및 내열조건] [2] 1381
586 Decoupled Plasma 관련 질문입니다.[플라즈마 내 입자의 거동] [1] 1129
585 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath] [1] 3936
584 플라즈마 용어 질문드립니다. [Self bias] [1] 880

Boards


XE Login