안녕하세요. CCP 플라즈마 관련해서 연구를 하고 있는 엔지니어입니다.

항상 좋은 가르침 덕분에 많이 배우고 있습니다.

이번에 여쭙고 싶은것은 CCP플라즈마 공정 시 생기는 라디컬들의 재결합(Recombination) 입니다.

저희는 RF플라즈마로 CCP 환경에서 플라즈마를 만들고, 현재 파워전극의 반대편에 기판을 놓기 때문에 이온 충돌에 의한 식각 현상은 없다고 보고 있습니다.

이런 상황에서 저희가 기본적으로 OH와 H 라디컬 생성을 위해 H2O를 집어넣는데요. 

산소 라디컬도 필요하게 되어 O2가스도 집어 넣을까 생각하고 있습니다.

그런데 궁금한 것은 H2O 라디컬에서 H, OH가 모두 나오는데  여기서 생성된 H라디칼과 O2라디칼이 재결합을 해서 기판과의 반응이 효율이 제대로 나오지 않을 수도 있다는 것입니다.

 --> O2 라디컬을 추가하면 H 라디컬과 재결합이 일어나면서 오히려 반응 효율을 떨어뜨리게 될까요?

아니면 재결합은 많이 일어나지 않고 OH, H, O 라디컬이 모두 기판과 잘 반응할 수 있을까요??

교수님은 어떻게 생각하시는지요?

혼자 생각해 보기로는 Residence time을 조정해서 실험 해볼 수 있지 않을까 합니다.

Residence time이 길면 재결합을 하기 위한 충분한 시간이 주어지는 것이라고 볼 수 있을까요?

혹은 N2나 Ar 같은 분위기 가스들이 재결합을 어느정도 막아준다고 들었는데 이런 가스들을 더 추가하면서 재결합을 막을 수 있을지 궁금합니다.

언제나 감사합니다!