안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] 72987
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17579
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55511
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65680
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85997
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 1501
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 2856
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4200
» Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 709
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 741
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 862
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3596
637 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1051
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 800
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 797
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 843
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 507
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 1348
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 626
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 375
629 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 708
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1155
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 7566
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 2762
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 13446

Boards


XE Login