안녕하세요 학부과정 진행중인 황준성입니다.

RIE장비로 SiO2 웨이퍼를 식각하려고 하는데 이때 발생하는 가스형태의 공정부산물을 측정하려고 하는데 사전에 주입가스를 통해서 발생할 수 있는 가스를 계산하여 예측할 수 있는 방법이 있을까요?

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76951
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20315
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57238
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68787
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92778
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 155
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 421
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 238
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 678
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 848
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1465
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 289
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 452
» RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 368
712 corona model에 대한 질문입니다. [1] 172
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 217
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 652
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 451
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 412
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 628
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 324
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1066
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 612
703 self bias [1] 546
702 Self bias 내용 질문입니다. [1] 855

Boards


XE Login