안녕하세요 교수님, 지난 micro arc 답변 감사드립니다.

 

오늘은 임피던스 i 값 관련 질문드립니다, impedance i값이 제 예상과 달라, 어떤 부분을 추가로 고려해야할지 여쭙습니다.

 

CCP type의 pecvd 이고 상황은 이렇습니다.

서로 다른 recipe A, recipB가 있는데, A가 B보다 power가 높아 imp i가 더 작은 음수 값을 가질 것으로 예상했습니다. 이유는 debye length에 따른 쉬스길이가 더 길것이기 때문입니다.(Xc=1/jwc)

하지만 파워값이 적은 B recipe가 오히려 더 낮은 음수값을 가졌습니다.

 

파워 이외에 어떤 변수에 의해 B recipe가 imp i값이 더 작을까요?

B 와 A는 서로 다른 gas를 사용하고, 유량도 다르게 사용됩니다.

다만 공정진행 압력은 둘다 비슷하여 플라즈마 밀도나 전자온도를 어떻게 해석해야 맞는지 조언 부탁드립니다.

 

아래는 대략적인 rcp 입니다, 참고 부탁드립니다.

                      A         B

Power :       500      100

Total Gas : 15000   5000(sccm) 

Imp I.       :  -4          -8

공정 압력.  :   5          7

 

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