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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발
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HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화
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817 |
인가전압과 ESC의 관계 질문
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816 |
Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수
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ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias]
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814 |
가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해]
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RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다.
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ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각]
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811 |
Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length]
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810 |
플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 2351 |
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플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가]
[1] | 158 |
808 |
Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator]
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micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장]
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806 |
Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포]
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805 |
Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파]
[1] | 61 |
804 |
CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화]
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803 |
CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching]
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802 |
Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어]
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801 |
ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산]
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HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking]
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