안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. 전에 작성했던 글에 댓글을 남기는방법을 찾지 못해 글로 남깁니다.

SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas) 의 에칭입니다.

결합에너지를 근거로 다음과같은 에칭이 일어난다고 생각했고, Si(CH3)2기는 단순히 플라즈마 공급 전에 있다고 가정했습니다.

원활한 F의 공급 및 에칭, 플라즈마의 유지를 위해 CF4/O2 외에도 Ar의 공급이 필수적이라고 생각하면 될까요?

또한 Ar+생성 외에도 Ar공급의 목적이 있는지 궁금합니다.(CF4와의 반응에 영향을 미치는지 등)

마지막으로 충분한 물리적 에칭을 위해 Ar사용, F의 농도를 높이기 위해 O2를 사용으로 이해한게 맞는지 여쭤봅니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102860
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24688
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61415
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73479
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105832
833 Ar Plasma로 AlN Pedestal 표면에 AlFx desorption 가능 여부가 궁금합니다. [1] 199
832 PEALD 챔버 세정법 [1] 266
831 RF BIAS REDLECT POWER HUNTING 문제 [1] 278
830 RF ROD 연결부 부하로 인한 SHUNT, SERIES 열화 [2] file 381
829 HF와 LF중 LF REFLECT POWER가 커지는 현상에 대해서 도움이 필요합니다. [2] 447
828 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 562
827 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 394
826 DC Arc Plasma Torch 관련 문의 [1] 365
825 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 576
824 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 [1] 306
823 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 759
822 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 431
821 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 482
820 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 551
819 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 748
818 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 963
817 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 448
816 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 594
815 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 782
814 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 685

Boards


XE Login