Sputtering 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다.

2019.03.04 10:48

대구한밭 조회 수:1411

안녕하세요.

PECVD로 탄소 박막을 합성하고, 표면을 Oxide 시키기 위해 plasma asher로 200W/30 min 동안

처리하였는데 반응이 없어 다른 방법을 모색중입니다.

그래서 스퍼터로 가능할까 싶어서 궁금증을 여기에 풀어 봅니다.

보통 O2/N2는 반응성 스퍼터링에 사용되는 것으로 알고 있습니다.

혹시나, (1) Ar 대신 O2 or N2만 주입해도 플라즈마가 형성이 가능한가요?

그리고 (2) 타겟없이도 플라즈마가 뜨는가요?

이 두 부분이 궁금합니다.

생뚱맞는 질문일수도 있지만,

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76864
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20264
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57197
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68750
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92666
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2024
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1049
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1973
474 PEALD관련 질문 [1] 32627
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2265
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3550
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1078
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 723
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3988
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 428
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2350
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1164
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1355
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 958
463 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2013
462 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2435
461 Wafer particle 성분 분석 [1] 2328
460 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2860
459 charge effect에 대해 [2] 1475
458 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1520
쓰기
태그

Boards

XE Login