안녕하세요.

궁금한 점이 있어 질문 드립니다.

일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면

그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?

임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,

미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.

예를 들어주셔도 됩니다.

이상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77240
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57374
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68903
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92951
266 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1218
265 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1211
264 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1209
» 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1200
262 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1188
261 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1187
260 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1182
259 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1178
258 전자 온도 구하기 [1] file 1178
257 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1176
256 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1173
255 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1172
254 공정플라즈마 [1] 1170
253 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1161
252 Group Delay 문의드립니다. [1] 1161
251 wafer bias [1] 1160
250 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1153
249 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1151
248 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1151
247 자기 거울에 관하여 1150

Boards


XE Login