안녕하십니까 현재, 증착관련 기업에서 인턴을 하고있는 김윤재 학생입니다.

Depostion에 관심이 많아서, 교수님의 질문방을 보며 공부(?)를 간혹하는 학생입니다.

 

현재, SiO2박막을 증착하며, 엘립소미터를 이용하여 굴절률과 증착두께를 측정하고 있습니다

그런데, Data를 측정하면  굴절률이 1.30/1.35/1.40/1.45 이런식으로 다양하게 나옵니다. 당연히, 증착두께도 굴절률에 따라 다르게 나옵니다.

SiO2의 굴절률이 1.46으로 알고있는데 굴절률이 다양하게 측정이 된다면, 여러 요인에 의해서 SiO2박막이 제대로 증착이 안된거 같습니다.

 

그런데, 이런 경우라면  Data를 기록할때 어떻게 기록해야하는 궁금합니다.

각 굴절률과  그에 따른 박막두께를 다 기록해야하는지.... 혹은 굴절률과 측정두께의 평균을 구해야 하는지 궁금합니다.... 

유의미한 data를 측정하고 싶은데 지식이 없는 학부생 질문이라 죄송합니다....

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77956
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20797
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57712
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69213
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93583
276 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1270
275 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1256
274 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1248
273 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1238
272 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1236
271 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1225
270 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1224
269 전자 온도 구하기 [1] file 1224
268 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1220
267 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1217
266 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1214
265 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1209
264 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1202
» 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1196
262 공정플라즈마 [1] 1195
261 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1194
260 wafer bias [1] 1191
259 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1189
258 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1185
257 Group Delay 문의드립니다. [1] 1183

Boards


XE Login