Remote Plasma PECVD 매칭시 Reflect Power 증가

2008.08.12 15:39

김 선 미 조회 수:24987 추천:421

안녕하세요. 저는 연구실에서 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 갖고 실험하고 있는 학생입니다.
플라즈마가 기판으로 도달되지 않아 플라즈마를 기판으로 내리기 위해  tunner를 조절하여 어느정도
내렸습니다. 그런데 forward power가 증가함에 따라 Reflect power도  상당히 큰 값으로 증가했습니다. 매칭이 잘못된거 같은데 아무리 tunner를 크게 또는 작게 해도  소용이 없었습니다.
혹시 다른 매칭방법은 없나요? 재료공학과 학생이라 플라즈마에 대한 지식이 많이 부족합니다.
알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.^^

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76748
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92305
190 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24773
189 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [1] 18741
188 궁금해서요 16316
187 PM을 한번 하시죠 19729
186 CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] file 20382
185 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22768
184 scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] 19214
183 Full Face Erosion 관련 질문 [2] 19461
182 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26470
181 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] 21513
180 RF에 대하여... 32012
179 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24174
» PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24987
177 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] 18875
176 RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] 20963
175 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] 22852
174 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22579
173 glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 21753
172 self bias (rf 전압 강하) 26715
171 궁금합니다 [1] 16177
쓰기
태그

Boards

XE Login