Others 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제...

2009.03.20 12:36

기계공학사 조회 수:26470 추천:279

RF에 관심이 많은 학구파 기계공학 엔지니어 입니다.

제목에서와 같이 공정챔버에서의 아킹원인과 노이즈에 관해 궁금한 것이 있어서 입니다.

우선 아킹(번개 등)의 원인이 전하차에 의해 높은곳에서 낮은 곳으로 이동하면서 생기는 것으로 알고있습니다.

저희 공정챔버의 경우 기존 제품은 나름대로 양호하나, 현재 개조된 챔버에 대해서는

상당한 아킹과 노이즈를 겪고 있습니다.

우선, 개조사양은

챔버의 체적이 약 15% 커짐(고진공상태;100mTorr이하)

상부 안테나와 접하는 세라믹 순도가 99.98->99.99%로 변경(큰 영향은 없을 것으로 보임)

상부 안테나의 상부를 커버하는 알루미늄재질의 커버가 기존대비 약 10% 늘어남.

RF 구동 조건은

상부 13.56Mhz 약 5,000W
하부 13.56Mhz 약 7,000W

이며, 접지는 제3종 일것으로 생각됩니다.

여기서 아킹의 원인과 노이즈가 발생할 만한 것이 있을 수 있는지?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76748
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92306
190 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24773
189 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [1] 18741
188 궁금해서요 16316
187 PM을 한번 하시죠 19729
186 CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] file 20382
185 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22768
184 scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] 19214
183 Full Face Erosion 관련 질문 [2] 19461
» 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26470
181 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] 21513
180 RF에 대하여... 32012
179 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24174
178 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24987
177 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] 18875
176 RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] 20963
175 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] 22852
174 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22579
173 glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 21753
172 self bias (rf 전압 강하) 26716
171 궁금합니다 [1] 16177

Boards


XE Login