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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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궁금해서요
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PM을 한번 하시죠
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CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [플라즈마 확산 및 전력정합 영역 제어]
[1]  | 20526 |
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Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스]
[1] | 23056 |
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184 |
scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [RF matching 및 반응 단면적]
[2] | 19369 |
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Full Face Erosion 관련 질문
[2] | 19558 |
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182 |
공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [공정 과정 및 장치 상태]
[2] | 26694 |
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상압 플라즈마 관련 문의입니다. [열용량과 방전 전력에 따른 냉각 장치]
[1] | 21659 |
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RF에 대하여...
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Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
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PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건]
[2] | 25149 |
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RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [RF 방전과 이온 에너지]
[1] | 18977 |
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176 |
RF plasma에 대해서 질문드립니다. [Sheath model, Ion current density]
[2] | 21176 |
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175 |
floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential]
[2] | 22978 |
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174 |
MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [Impedance matching과 반사파 형성]
[3] | 22699 |
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173 |
glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압
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self bias (rf 전압 강하)
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궁금합니다 [입자 속도에 따른 충돌 단면적과 mean free path]
[1] | 16281 |
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170 |
DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포]
[5] | 31854 |
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핵융합과 핵폐기물에 대한 질문
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