안녕하십니까?

Sputter Process 에 대해 담당중인 1인 입니다.

몇가지 문의점이 있어 문의 드립니다.

1. Sputter 시에 Gas Reaction 의 반응은 어떻게 일어나는 것인지 궁금합니다.

   저희는 주로 O2, N2, CH4, NO 등등의 반응성 Gas 를 사용하여 막질의 변형을 이루고자 하고 있습니다.

   이러한 Gas 들의 반응에 대하여 알 수 있는 방법이 없을까요?

   반응들이 일어나는 Mechanism 을 알 수 있다면 막질에 대해 좀 더 정확한 평가가 가능하지 않을까요?

2. 현재 Glass 기판에 Sputter 증착을 한 후 SEM 으로 관찰을 진행하고 있습니다.

   그런데, 박막 표면에서의 Charging 현상이 덜 하여 관찰이 가능한 샘플이 있는 반면,

   일부는 Charging 현상이 심하여 SEM 으로는 관찰이 어렵습니다.(Gas 종은 위의 Gas 들을 사용하고 있습니다.)

   기판 표면을 SEM 으로 관찰하고자 할 때, 이러한 Charging 현상을 감소 시킬 수 있는 방안은 어떤 것들이 있을까요?

   어떤 Parameter 들의 영향인지 궁금합니다.

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76846
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20253
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68745
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92605
677 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 589
676 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 592
675 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 593
674 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 595
673 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 597
672 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 598
671 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 606
670 RF Sputtering Target Issue [2] file 607
669 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 608
668 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 609
667 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 613
666 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 613
665 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 615
664 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 615
663 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 615
662 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 621
661 plasma 공정 중 색변화 [1] 621
660 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 623
659 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 630
658 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 636

Boards


XE Login