Chamber Impedance Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다
2022.07.24 20:09
안녕하세요 디스플레이 근무 중인 사람입니다
질문
1.Chamber 환경 변화시 VPP 값의 변화
EX) 주기성 Parts 절연체 감소로 인한 Chamber 변동 시
2. 압력과 VPP의 상관관계
이 두가지 질문을 드립니다
제가 많이 부족하여 이렇게 쉬운것도
짊질문을 한점 양해부탁드립니다ㅜㅜ
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20846 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93631 |
699 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1340 |
698 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 405 |
697 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1570 |
696 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 631 |
695 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 182 |
694 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 972 |
693 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 665 |
692 |
진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문
[1] ![]() | 652 |
691 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 29040 |
690 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 409 |
689 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 792 |
688 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 777 |
687 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1177 |
686 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2376 |
685 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1223 |
684 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 851 |
683 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 1084 |
682 |
RF Sputtering Target Issue
[2] ![]() | 677 |
681 | OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] | 659 |
680 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 2056 |
아래 두번째 질문 (663 및 Vpp 설명)의 답변을 눈여겨 보시면 좋을 것 같습니다. 해당 답변에서 Vpp 는 plasma potential 로서 V~ (tilda)가 본 질문의 Vpp(peak-peak)전압에 해당함을 참고해서 살펴 보시기 바랍니다. 아울러 V x I = P 로서 같은 전력에서 V 가 바뀌면 I 도 바뀌는데, 여기서 모든 값은 고주파 값이므로 두 위상차이의 변화에도 관심을 가져야 합니다. 따라서 Vpp 값과 Ipp 값 및 위상값의 변화를 함께 관찰하는 것이 바람직 합니다. 따라서 Vpp 값으로 현상을 고려할 때 Ipp 가 어떻게 변하고, V와 I의 위상값이 감소 또는 증가하는 쪽으로 바뀔 것인가를 모두 고려해 보려는 시도가 중요합니다. 이제 이 변동의 원인에 대해서도 같이 생각해 보시면서 아래 답변을 참고하시기 바랍니다.
(참고로 주기성 파트에 전압은 파트에 입사하는 이온 에너지, 전류는 파트에 입사하는 이온+전자전류를 의미한다고 가정해 보세요.)