Others N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다.

2016.05.05 09:33

짱구 조회 수:11437

안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어입니다.


N2, Ar Plasma 를 사용하여 미세 Pattern Pad 표면 세정을 하려고 합니다.


세정물 오염원은 C, Si 등을 포함한 성분인데요.


N2 와 Ar 중 어떤게 더 효과적일지 궁금합니다. ( 사용 원소에 따른 플라즈마 처리 세기의 차이가 있을거 같은데.. )


자료를 찾다보니 아래와 같이 기술된 것도 있던데 맞나요??

- 사용 기체로 산소 및 질소를 사용하였을 경우 아르곤을 사용한 플라즈마 처리 시 보다 에칭 효과 우수

- 산소 사용 시 질소 사용보다 표면 에칭 효과 우수

※ 표면 에칭: 아르곤 < 질소 < 산소


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76792
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68723
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92479
531 플라즈마 챔버 [2] 1247
530 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1274
529 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1274
528 플라즈마 기초입니다 [1] 1286
527 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1294
526 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1301
525 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1305
524 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1318
523 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1320
522 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1321
521 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1328
520 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1331
519 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1335
518 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1337
517 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1350
516 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1351
515 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1355
514 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1359
513 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1376
512 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1377

Boards


XE Login