벽면 상태는 공정 이격과 드리프트 및 TTTM (tool tool to matchi, C2CM, chamber to chamber match)에 매우, 민감합니다. 벽면 상태를 결정짓는 조건은 당연히 플라즈마 상태와, byproduct의 redeposition 등이 큰 요인이 되겠지요. 

질문의 요지는 플라즈마 가스를 사용하면 생기는 라디컬들의 벽면 세정 및 depsotion 의 특징이 같은가 여부에서 결정되니, 가스를 달리 하면 당연히 그 조건이 바뀌고, 이는 플라즈마 on time에도 관계됩니다. dose 양은 flux 에 시간의 결합된 함수이니 벽면의 반응량을 기준으로 판단해 보시면 될 것 같습니다. 핵심은 서로 다른 상태가 됨을 예방하거나, 어떻게 대응하겠는가를 판단하는 문제라 할 수 있겠습니다.

이를 위해서는 공정진단 방법을 활용하시는 방법이 좋을 것 같습니다. 기준점을 알고 이를 추적해야 대응할 수 있기 때문이겠습니다.

공정진단 방법으로 추천은 다음과 같습니다. 장비간의 차이는 공정 이력과 장비 재료 이력, 및 장비의 배기 기능과도 물려 있는 문제이므로, 저희는 이런 문제를 장치 자체의 플라즈마 상태를 기준점으로 잡아서 장비의 상태를 결정하고, 기준점의 변동을 drift 판단기준 과 TTTM 인자로 활용함을 제안하고 있습니다. 기준점으로는 각 장치에서 만들어지는 플라즈마 상태 값 (PI:: plasma information variablle : PI) 값을 사용합니다. 즉 센서 값으로 부터 알고리즘을 통해 분석된 값입니다. 따라서 센서 사용을 추천드리고, PI 모델에 대해서는 저희 연구실에서 발표한 논문을 참고하시기를 추천합니다.