Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76819 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20247 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57191 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92578 |
| 275 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10310 |
| 274 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10366 |
| 273 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10381 |
| 272 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10393 |
| 271 | RGA에 대해서 | 10547 |
| 270 | DC bias (Self bias) [3] | 11280 |
| 269 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11406 |
| 268 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11457 |
| 267 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11459 |
| 266 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12362 |
| 265 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12507 |
| 264 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12765 |
| 263 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12811 |
| 262 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13062 |
| 261 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13205 |
| 260 | 플라즈마의 상태 | 14080 |
| 259 | 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] | 14143 |
| 258 | 냉각수에 의한 Power Leak | 14447 |
| 257 | remote plasma 데미지 질문 [1] | 14474 |
| 256 | 우주에서의 플라즈마의 성분비 | 14587 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.