Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭
2020.05.15 23:53
안녕하세요 교수님
현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.
FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고
Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.
1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?
2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76820 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20248 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57191 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92578 |
| 395 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1]  | 2585 |
| 394 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2591 |
| 393 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2647 |
| 392 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2653 |
| 391 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2688 |
| 390 | PR wafer seasoning [1] | 2704 |
| 389 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2730 |
| 388 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2778 |
| 387 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2780 |
| 386 |
임피던스 매칭회로
[1] | 2818 |
| 385 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2827 |
| 384 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2832 |
| 383 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2879 |
| 382 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2883 |
| 381 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2904 |
| 380 | RF matcher와 particle 관계 [2] | 2946 |
| 379 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 2985 |
| 378 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2993 |
| 377 | Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] | 3057 |
| 376 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3126 |