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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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self Bias voltage [Self bias와 mobility]
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Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
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플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절]
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ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도]
[1] | 24626 |
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[질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias]
[3] | 24667 |
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반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
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H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure]
[1] | 24867 |
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RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리]
[1] | 24871 |
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ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model]
[1] | 24896 |
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스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다..
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Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown]
[1] | 25075 |
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PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건]
[2] | 25099 |
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plasma와 arc의 차이는? [Arc의 temperature]
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스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요?
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충돌단면적에 관하여
[2] | 26380 |
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dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity]
[3] | 26458 |
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공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [공정 과정 및 장치 상태]
[2] | 26638 |
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OES 원리에 대해 궁금합니다! [플라즈마 빛의 파장 정보]
[1] | 26884 |
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self bias (rf 전압 강하)
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이온과 라디칼의 농도 [해리도와 전자 에너지 분포]
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