ICP ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!!
2021.03.01 21:54
안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76817 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20246 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57188 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92576 |
| 535 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1241 |
| 534 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1248 |
| 533 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1248 |
| 532 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1250 |
| 531 | 플라즈마 챔버 [2] | 1252 |
| 530 | ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] | 1274 |
| 529 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1276 |
| 528 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1289 |
| 527 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1296 |
| 526 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1303 |
| 525 | Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] | 1314 |
| 524 | 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] | 1320 |
| 523 | I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 1322 |
| 522 |
CCP 챔버 접지 질문드립니다.
[1]  | 1329 |
| 521 | DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] | 1331 |
| 520 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1340 |
| » | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1345 |
| 518 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1354 |
| 517 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1356 |
| 516 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1357 |