Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75427 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19163 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56479 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67556 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89368 |
| 548 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 986 |
| 547 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1]  | 988 |
| 546 | 플라즈마 코팅 [1] | 1001 |
| 545 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1004 |
| 544 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1007 |
| 543 | Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] | 1018 |
| 542 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1019 |
| 541 | wafer bias [1] | 1021 |
| 540 | 플라즈마 챔버 [2] | 1028 |
| 539 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1035 |
| 538 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1037 |
| 537 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
| 1038 |
| 536 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1054 |
| 535 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1054 |
| 534 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1055 |
| 533 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1065 |
| 532 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1078 |
| 531 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1080 |
| 530 | 자기 거울에 관하여 | 1081 |
| 529 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1084 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.