ICP ICP lower power 와 RF bias

2023.01.18 19:04

eehcl12 조회 수:1166

안녕하세요 ICP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있는 학부생입니다. 현재 제가 사용하는 ICP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 라는 파라미터가 존재합니다. 제가 알고 있는 바로는 Upper power는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용도라고 생각을 했고, lower power는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용도라고 생각을 했습니다. 하지만 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문을 드립니다.

또한 절연체 층을 식각할 때는 RF bias를 가하고, 메탈 층을 식각할 때는 RF bias를 가하지 않는데 어떤 이유인지 궁금합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] 75769
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19454
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56673
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68030
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90327
558 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 985
557 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 991
556 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 992
555 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1004
554 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1006
553 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1006
552 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1013
551 플라즈마 코팅 [1] 1014
550 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1014
549 공정플라즈마 [1] 1033
548 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1033
547 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1048
546 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1055
545 wafer bias [1] 1058
544 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1072
543 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1076
542 플라즈마 챔버 [2] 1084
541 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1086
540 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1097
539 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1097

Boards


XE Login