Others laser induced plasma의 측정에 관하여

2004.06.21 15:31

관리자 조회 수:14672 추천:271

질문 ::

안녕하세요 저는 기계공학과 이성환교수님 연구실의 석사3기 최인석입니다.
다름이 아니라 레이저로 steel등을 가공할때 발생하는 플라즈마의 밀도를 측정하는데 어떤 방법이 사용될 수 있을지 알고 싶습니다.

답변 ::

Ablation plasma를 측정하기는 매우 까다로운 문제일 것 입니다.
특히 대기압 상태에서 측정이 되었다 하더라도 다음과 같은 점이 고려되어 있는지 확인하여야 할 것 입니다.
대기압 플라즈마는 매우 충돌성이 커서 충돌성에 대한 고려가 되어 있는 가?
이러한 플라즈마는 pulse 형태로 발생되며 측정하여야 함으로 시간에 대한 resolution이 정확한가?
만들어진 플라즈마의 이온의 종류를 어떻게 결정하였는가?
최소한 이러한 조건에 대한 정보가 전제된 측정이어야 할 것 이며 이 조건을 맞추기 위한 장치는
ablation 장치에 버금가는 투가가 요구될 것 으로 사려되고 운영에도 고도의 기술이 요구될 것 입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5833
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17288
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53125
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64505
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85118
458 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 1279
457 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1287
456 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1292
455 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1304
454 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1307
453 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1309
452 RF matcher와 particle 관계 [2] 1314
451 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1324
450 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1343
449 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1350
448 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1356
447 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1374
446 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1376
445 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 1378
444 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 1381
443 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 1383
442 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1383
441 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1399
440 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 1399
439 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1430

Boards


XE Login