안녕하세요.

궁금한 점이 있어 질문 드립니다.

일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면

그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?

임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,

미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.

예를 들어주셔도 됩니다.

이상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76696
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
547 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1153
546 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1154
545 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1155
544 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1158
543 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1160
542 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1162
541 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1165
540 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1174
» 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1179
538 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1187
537 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1219
536 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1221
535 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1224
534 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1235
533 플라즈마 챔버 [2] 1236
532 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1236
531 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1240
530 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1257
529 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1263
528 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1269

Boards


XE Login