CCP CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다.
2018.04.05 20:01
안녕하세요. CVD쪽에서 일하고 있는 신입사원입니다.
너무 궁금한게 있는데 CCP에서 파워가 증가 -> 전극의 전압증가 ->챔버내 전기장 증가 -> 챔버내 전자 가속
-> 전자밀도증가(2차전자 생성하므로) -> 플라즈마밀도 증가(전자뿐만아니라 이온, 라디컬 등등 생성되므로 )
-> 임피던스 감소
여기서 플라즈마밀도 증가시 왜 임피던스가 감소되는지 모르겠습니다.
그냥 단순하게 플라즈마 밀도 증가하면 전류가 잘통해서 임피던스가 감소한다고 생각해왔는데 다시생각하니 플라즈마 내부는
플라즈마밀도 증가시 전류가 더 잘흐른다고 보기보다는
플라즈마밀도 증가시 분극이 더 잘되므로 임피던스가 낮아진다 고 봤는데
저희 선배님이 그건 아니라고 하셨거든요. 아무리생각해봐도 이부분의 메카니즘이 어떻게 되는지 모르겠습니다.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76852 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20261 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57193 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92610 |
497 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1452 |
496 | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1456 |
495 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1457 |
494 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1460 |
493 | 알고싶습니다 [1] | 1463 |
492 | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1465 |
491 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1465 |
490 | 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] | 1466 |
489 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1466 |
488 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1466 |
487 | charge effect에 대해 [2] | 1470 |
486 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 1506 |
485 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1515 |
484 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1516 |
483 | IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] | 1528 |
482 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1535 |
481 | Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] | 1535 |
480 | plasma 형성 관계 [1] | 1539 |
479 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1568 |
478 | 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] | 1605 |