Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:1874

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [255] 76400
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19985
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57064
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68536
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91250
473 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1576
472 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1584
471 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1609
470 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1627
469 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1643
468 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1645
467 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1653
466 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1663
465 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1665
464 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1669
463 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1675
462 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1692
461 터보펌프 에러관련 [1] 1722
460 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1728
459 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1731
458 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1757
457 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1772
456 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1801
455 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1804
454 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1812

Boards


XE Login