안녕하세요, 반도체 회사에 근무하는 직장인입니다. 

 

여쭐 것이 있어 글을 남겨 봅니다.

 

산업현장에서 쓰는 플라즈마 챔버간의 특성 차이 문제는 극복해야할 문제인데요, 

제가 지금 경험하고 있는것은, N2 gas 전처리의 특성이 달라서 챔버간 소자 결과 차이가 난다는 것입니다. 

여기서 질문이 있습니다.

 

1. CVD의 RPSC step(셀프 클리닝)에서 시즈닝 공정 조건 즉 시즈닝 레시피가 Sio2 증착 recipe (Sih4+N20) 인지? 혹은 SiNx(Sih4+nh3)인지에 따라 후속에서 진행될 N2 플라즈마의 전자 온도, 전자 밀고, 이에 따른 N2 해리율 변동을 야기 할 수 있을지요?? 

 

2. 야기 한다면 시즈닝을 SiO2로 하다가 Sinx 로 할 경우, 전자 밀도 온도 N2 해리율이 증가하는 방향일지? 감소하는 방향일지요?

이것이 시즈닝 박막의 유전율과 연관이 있을지?? 궁금합니다.

 

답변주시면 큰 도움이 될 것 같습니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [253] 76390
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19971
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57059
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68529
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91230
473 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1571
472 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1581
471 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1605
470 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1624
469 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1638
468 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1643
467 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1648
466 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1656
465 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1661
464 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1669
463 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1675
462 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1687
461 터보펌프 에러관련 [1] 1721
460 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1722
459 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1729
458 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1752
457 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1771
456 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1795
455 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1798
454 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1808

Boards


XE Login