안녕하세요.
계속 눈팅만 하고 있다가 처음으로 글을 쓰게 된 초자엔지니어 입니다.
계시판 글을 읽는데도 플라즈마 공부에 많은 도움이 되는 거 같습니다.
질문의 내용은
일반적으로 논문에 ICP Plasma는 Metal 박막, Poly-Si 박막에 적합하고 CCP Plasma는 SiO2 및 SiN 박막에 적합하다고 되어 있습니다.
CCP Plasma는 ICP Plasma 보다 Ion energy 높아 Ion bambard로 결합력이 강한 SiO2, SiN을 쉽게 식각을 할 수 있다고 생각이 됩니다.
그렇다면, CCP Plasma로 식각 공정을 만들어서 Metal 박막 혹은 Poly-Si 박막도 쉽게 Etching을 할 수 있지 않을까요?
굳이 Hardware 구조가 복잡한 ICP Plasma로 Metal 박막 혹은 Poly-Si 박막을 Etching 하는지 궁금합니다.
여러가지 도움을 준 교수님께 감사드립니다.
우리 플라즈마 공정 엔지니어들은 이번 여름 만큼 치열하게 공부해야 합니다. 우리가 도전하는 패턴닝 스케일이 나노급, 즉 원자 스케일로 내려오고 있기 때문으로, 거시적 관점으로는 쉽게 해결책이 보이지 않기 때문입니다. 대부분 순설미로 보이는 정보들은 mm-um 스케일의 공정 정보이기 쉬우니, 해당 정보로 부터 nano scale 정보를 얻어가려면, 더 깊이 치열하게 파고 들어야 합니다.
먼저, ICP 와 CCP 플라즈마의 생성 원리의 차이를 공부해 보세요. 단, ICP 와 CCP 모두 공정을 위한 플라즈마를 의미하고 (bulk plasma, radical generation) 실제 공정은 웨이퍼에 bias를 인가한 조건 (ion sheath, ion energy, bombardment)으로 패턴닝 공정의 목적을 진행합니다. 따라서 bulk plasma 형성 (대부분 전자에 의한 이온화, 해리 반응으로 라디컬 생성)의 공간 플라즈마가 타킷 근방의 쉬스 전기장으로 이온의 가속을 통해서 패턴닝을 하며 특히 중요한 것은 passivation과 이온 에너지의 조합이 적절함 (공정 recipe 개발)이 조화를 이뤄 미세 패턴 공정을 진행합니다.
괄호에 주제어를 넣었으니 게시판에서 주제어를 따라가 보시면, 이미 소개된 동영상과 관련 정보들이 있을 좀 더 쉽게 찾으실 수 있으실 것 입니다. 잊지 마실 것은 mm 급의 기술인가? um 급 기술인가? nm 급 기술인가? 구별하시면서 공부해 보시기를 추천합니다.