Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:3125

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76437
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19997
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57070
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68543
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91344
397 Si Wafer Broken [2] 2440
396 질문있습니다. [1] 2520
395 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2545
394 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2566
393 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2566
392 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2570
391 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2587
390 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2596
389 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2660
388 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2685
387 PR wafer seasoning [1] 2688
386 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2714
385 임피던스 매칭회로 [1] file 2764
384 RF matcher와 particle 관계 [2] 2772
383 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2777
382 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2825
381 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2827
380 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2854
379 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2876
378 Plasma etcher particle 원인 [1] 2893

Boards


XE Login