Etch Plasma etcher particle 원인

2018.01.10 18:14

베컴 조회 수:2967

안녕하십니까?


현업에 종사하고 있습니다.


다름이 아니오라, 에쳐에서 파티클문제가 해결이 되지않고 있는데....


그 원인이 궁금합니다.


제가 논문을 보고 추정하기로는


1.챔버내부 하드웨어에서 가스에의해 식각된 불순물이 발생

2.플라즈마 라디칼과 이온 충돌에 의한 하드웨어 불순물 발생, 1번과 거의 동일

3.가스중합반응시 화학적 결합을 반응을 통한 불순물 발생

4.플라즈마 방전 종료 및 시작 시 쉬스영역에 분포하여 갖혀있는 불순물이 방전중지 시 발생


위와같이 추정을 하고 있습니다.


이 문제를 해결하기 위해서, 내부하드웨어 물질 변경등의 방법을 시도하고 있습니다.


주요한 문제가 무었이라고 생각이 되시는지요? 교수님, 또한 이 문제를 해결하기 위해서 다양한 방법이 있겠지만,

최근의 학계분야에서 이슈가 되는 해결책이 있는지 궁금합니다.


바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다. 또한 참고할만한 논문이 있다면, 부탁드리겠습니다.


많은 도움이 될거같습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
389 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2727
388 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2744
387 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2765
386 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2782
385 임피던스 매칭회로 [1] file 2804
384 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2820
383 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2873
382 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
381 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2892
380 RF matcher와 particle 관계 [2] 2920
» Plasma etcher particle 원인 [1] 2967
378 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2974
377 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
376 CVD 공정에서의 self bias [1] 3102
375 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
374 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3165
373 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3184
372 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3198
371 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3204
370 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3278

Boards


XE Login