Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭

2020.05.15 23:53

유재민 조회 수:2389

안녕하세요 교수님

현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.

FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고

Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.

1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?

2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?

감사합니다.

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