Sheath CVD 공정에서의 self bias
2021.06.13 19:47
안녕하세요 반도체 제조업에서 설비업무 맡고있는 저년차 사원입니다.
self bias 현상이 일어나게 되는 메커니즘을 3가지정도 배웠습니다.
1. RF 관점에서 순전류는 0이어야하기 때문에 더 크고 무거운 ion을 끌어오기 위해서 전극의 전위가 낮아지는 효과
2. 전극의 크기 차이로 인한 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과
3. blocking capacitor에서의 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과
실제로 CVD chamber 내 shower head보다 heater의 크기가 작고 blocking capacitor의 존재로 2번, 3번은 납득이 됩니다..
사내 semina에서 배우기로는 ETCH 설비와 다르게 CVD 설비는 shower head에 RF가 인가되고 heater쪽이 접지로 연결되어 있다고 했는데..
그렇다면 1번 효과에 의해 heater가 아니라 shower head쪽 전극이 음극역할을 하게 되는건가요???
(http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=81598 에서의 답변 참고했습니다)
만약 맞다면, 2번,3번 효과의 경우 heater쪽 전위가 낮아지게 되는걸로 보이는데, 1번에 의한 효과와 서로 경쟁하는건가요????
학부출신으로 회사와서 아는건 없고 궁금한건 많은데 얕게 배운 지식으로 업무와 연관지으려 하니 힘이드네요 교수님..
많이 배워가고 있습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76845 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20253 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68745 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92603 |
396 | 질문있습니다. [1] | 2577 |
395 | 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] | 2585 |
394 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2591 |
393 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2650 |
392 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2653 |
391 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2691 |
390 | PR wafer seasoning [1] | 2704 |
389 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2730 |
388 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2780 |
387 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2783 |
386 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2818 |
385 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2828 |
384 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2840 |
383 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2879 |
382 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2884 |
381 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2906 |
380 | RF matcher와 particle 관계 [2] | 2951 |
379 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 2989 |
378 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2995 |
377 | Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] | 3057 |