공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[265]
| 76539 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20076 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57115 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 68613 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 91695 |
343 |
the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문
[1] | 3977 |
342 |
SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문
[1] | 4121 |
341 |
RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성
[1] | 4126 |
340 |
플라즈마 색 관찰
[1] | 4191 |
339 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4241 |
338 |
ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
| 4294 |
337 |
챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다.
[2] | 4361 |
336 |
CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.
[1] | 4713 |
335 |
Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다.
[1] | 4739 |
334 |
매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~
[1] | 5021 |
333 |
RF power에 대한 설명 요청드립니다.
[1] | 5115 |
332 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5183 |
331 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5421 |
330 |
ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다.
[1] | 5462 |
329 |
RF Vpp 관련하여 문의드립니다.
[1] | 5648 |
328 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5734 |
327 |
RF calibration에 대해 질문드립니다.
| 5784 |
326 |
안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다.
[3] | 5865 |
325 |
OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다.
[1] | 5910 |
324 |
코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다.
[1] | 5934 |