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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68771
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340 플라즈마 색 관찰 [1] 4318
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4321
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4369
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4543
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4851
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334 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5131
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5193
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5391
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5485
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5586
329 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5695
328 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5839
327 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5930
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5934
325 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5939
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323 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6102
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