ESC ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요??
2021.09.14 15:33
진공상태에서 ESC 표면의 온도가 모두 같지는 않기 때문에 Inner랑 outer에서 조금의 온도 차이가 있을 텐데
이러한 온도 차이 때문에 wafer에서의 식각률의 차이가 어떤 이유로 있는건지 알 수 있을까요??
온도별로 영역별 식각정도가 다를 경우가 있는데 어떤 이유가 있을지 궁금해서요
도움 부탁드립니다!
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76794 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20230 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68723 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92496 |
291 | N2 환경에서의 코로나 방전을 통한 이온생성에 대한 질문입니다. [1] | 8620 |
290 | Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. | 8670 |
289 | ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] | 8727 |
288 | 수중플라즈마에 대해 [1] | 8745 |
287 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8926 |
286 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 8989 |
285 | 안녕하세요 교수님. [1] | 9038 |
284 | 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] | 9243 |
283 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9262 |
282 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9518 |
281 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 9523 |
280 | 대기압 플라즈마에 대해서 | 9637 |
279 | 수중 방전 관련 질문입니다. [1] | 9667 |
278 | 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. | 9844 |
277 | ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] | 9858 |
276 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 9981 |
275 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10307 |
274 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10363 |
273 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10375 |
272 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10381 |
- 대부분의 화학반응은 온도에 민감하게 활성화됩니다. 따라서 반응이 일어나는 웨이퍼의 온도, 특히 표면의 온도가 중요하며 (Pyrometer 등으로 측정 하곤 합니다) 온도가 높으면 과도하게 표면 반응이 발생해서 피막 성질을 조절하기가 어려워 집니다. 따라서 적정 온도를 유지하고, 최근에는 표면 반응을 절제시키기 위해서 CRYO-.공정을 사용하기도 합니다. 식각의 경우 pattern 내의 passivation 이 잘 일어나게 되니, polymer를 적게 만들어도 되니 운전압력을 낮게 운전이 되어 이온의 직진성도 함께 향상될 수 있을 것입니다만, 반응률이 너무 낮아지는 문제가 생길 수도 있습니다.
- 플라즈마 조사로 인해서 올라가는 웨이퍼 온도는 ESC 냉각을 통해서 조절해서 최적 공정을 맞추는 방법도 개발되고 있습니다. 표면반응이 온도에 비례해서 웨이퍼 상의 공정 균일도 조절 목적으로 ESC 영역별로 온도를 조절하는 기능이 추가된 장비가 개발되어 왔습니다. 최근 들어서는 플라즈마로 부터 전달되는 에너지가 불균일 한 정도가 매우 심해지면서, 웨이퍼 영 온도 조절 영역을 보다 세분하게 조절하는 기능을 추가되는 경향이 있는데, 저는 그 원인 중의 하나를 고주파를 이용한 플라즈마 발생 기전으로 플라즈마가 불균일하기 때문의 원인도 있겠다는 생각을 합니다.