CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.

2010.01.28 19:44

kailo 조회 수:23265 추천:157

안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76801
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20236
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57183
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68732
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92545
751 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 257
750 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 258
749 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 273
748 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 292
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 311
746 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 313
745 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 318
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 318
743 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 322
742 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 322
741 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 337
740 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 342
739 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 350
738 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 352
737 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 356
736 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 359
735 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 360
734 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 367
733 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 374
732 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 384

Boards


XE Login