안녕하세요 플라즈마 소스개발을 하고 있는 김상규라고 합니다.

전자기장 시뮬레이션을 통해 ICP Source 를 개발 중에 있습니다만 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.

조건 : 1000mm X 1000mm chamber , process gap 250mm , icp source , H-field 관측 , Source only (bias x)

현상 : 상부 Antenna 근처에서 측정(antenna로 부터 30mm)  Map 이 center high 인데 substrate (substrate 표면으로 부터 5mm) 로 내려오  면 center 가 low 가 됨. (stage 에 절연층을 쌓아도 비슷함)

질문 : side, 4corner 가 low 로 되는 것은 챔버 벽면으로 electron 이 빠져나가면서 그럴수 있다고 생각 됩니다만

          왜 Chamber 벽면에서 가장 먼 가장자리(substrate center position) 의 field 가 약해지는 것 인지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76437
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19997
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57070
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68543
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91344
737 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 318
736 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 321
735 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 337
734 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 337
733 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 338
732 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 338
731 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 339
730 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 352
729 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 355
728 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 359
727 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 364
726 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 365
725 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 366
724 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 366
723 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 372
722 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 372
721 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 373
720 plasma modeling 관련 질문 [1] 375
719 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 380
718 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 382

Boards


XE Login