안녕하세요 저는 반도체관련 업체에서 일하고 있는 최철운입니다.

ESC쪽을 공부하면서 Plasma Dechuck process가 궁금해졌는데요.

J-R TYPE ESC 같은 경우 일반적으로  ESC쪽의 Voltage를 끈 후 wafer의 잔여 전하를 Plasma를 이용해 dechuck을 한다고하는데 이는 어떤 process로 행해지는 지 궁금합니다. 체 추측으로는 plasma들이 wafer를 때리면서 중성화를 시켜 dechuck을 시킨다고 생각이 되는데 맞는지요?


또한 궁금한게 Columb Force방식의 ESC는 voltage를 끌시 잔여 전하가 남지 않기때문에 바로 Dechuck이 되며 plasma를 킬필요가 없다고하는데 Plasma dechuck을 사용하여 particle 개선 효과가 있는지 궁금합니다.

 Plasma Dechuck을 사용할시 챔버 내의  잔류 가스들을 가두고 wafer표면에 떨어지게 막으면서 pump쪽으로 흐르게하는 것인가요? 어떤 원리로 particle 제거 효과가 있는지... 궁금합니다.


감사합니다~

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