공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[269]
| 76736 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20206 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57168 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 68702 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 92280 |
69 |
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23760 |
68 |
Arcing
| 23806 |
67 |
플라즈마 쉬스
| 23934 |
66 |
plasma and sheath, 플라즈마 크기
| 23973 |
65 |
self Bias voltage
| 24035 |
64 |
플라즈마에 관해 질문 있습니다!!
| 24122 |
63 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 24174 |
62 |
[질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요.
[3] | 24311 |
61 |
ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요?
[1] | 24337 |
60 |
플라즈마가 불안정한대요..
| 24517 |
59 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
| 24583 |
58 |
H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점...
[1] | 24648 |
57 |
plasma와 arc의 차이는?
| 24670 |
56 |
ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의
[1] | 24748 |
55 |
RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동
[1] | 24773 |
54 |
Reflrectance power가 너무 큽니다.
[1] | 24855 |
53 |
스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다..
| 24874 |
52 |
PECVD 매칭시 Reflect Power 증가
[2] | 24987 |
51 |
스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요?
| 25582 |
50 |
OES 원리에 대해 궁금합니다!
[1] | 26123 |