공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[332]
| 102955 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 24689 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 61443 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 73484 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 105853 |
513 |
플라즈마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [Plasma 이온화]
[1] | 6676 |
512 |
저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ
[1] | 6675 |
511 |
플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [나노 분말 생성 및 제어 연구]
[1] | 6609 |
510 |
공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [공동형 토치의 운전법 및 방전특성이해]
[2] | 6586 |
509 |
액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문 드립니다! [플라즈마 발생 방식과 성질]
[1] | 6577 |
508 |
자료 요청드립니다.
[1] | 6535 |
507 |
안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [회로인자 및 구동기구, 플라즈마 특성]
[1] | 6528 |
506 |
안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [VI probe]
[3] | 6496 |
505 |
모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
| 6464 |
504 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
[1] | 6271 |
503 |
RF Vpp관련하여 문의드립니다. [Self bias와 플라즈마 쉬스]
[1] | 6262 |
502 |
ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [ESC, 쉬스 전기장 및 bias 전력 조절]
[1] | 6250 |
501 |
RF calibration에 대해 질문드립니다.
| 6175 |
500 |
DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
[1] | 5941 |
499 |
Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher]
[2] | 5813 |
498 |
매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [RF 전력 전달]
[1] | 5785 |
497 |
챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건]
[3] | 5735 |
496 |
RF power에 대한 설명 요청드립니다. [Child-Langmuir sheath 및 Debye length]
[1] | 5699 |
495 |
Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath]
[1] | 5459 |
494 |
RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [충돌 반응 rate constant]
[4] | 5291 |