안녕하십니까.

산소양이온이 금속전극을 충돌하면, 산소양이온은 무엇으로 변하는지 궁금합니다.

 

1) 금속표면바로아래의 전자가 터널링에 의하여 나와서 산소양이온과 결합 하여 산소분자로 환원이 되는지?

  - 산소분자로 환원이 된다면, metastable 상태를 거쳐서 산소분자가 되는지..

2) 전자과 결합하는 과정에서 산소원자들이 생성이 되는지?

 

자료를 찾을 수가 없어서 문의드립니다.

 

오늘도 좋은 하루 되세요. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] 78473
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21040
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57867
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69400
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93945
441 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3171
440 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3132
439 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3129
438 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3030
437 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3022
436 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2973
435 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 2942
434 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 2931
433 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 2919
432 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 2832
431 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2778
430 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2769
429 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2756
428 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [대기압 플라즈마와 라디컬 생성] [1] 2742
427 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2728
426 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 2678
425 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 2647
424 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2641
423 질문있습니다. [전자 에너지 분포함수 및 Maxwell 분포] [1] 2640
» 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2625

Boards


XE Login